RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
42
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
41
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3073
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4A
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link