Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB

Puntuación global

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Puntuación global

InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Informar de un error

Mayor velocidad de lectura, GB/s

10.6 7.7

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.0 8.2

Valor medio en las pruebas

InnoDisk Corporation 16GB

Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation 16GB

Informar de un error

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

38 42

En -11% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 10600

En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

InnoDisk Corporation 16GB

Principales características

Tipo de memoria

DDR3 DDR4
Latencia en PassMark, ns

42 38
Velocidad de lectura, GB/s

10.6 7.7
Velocidad de escritura, GB/s

9.0 8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps

10600 17000

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2423 2163

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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