RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
86
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
86
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1658
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link