RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
42
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
22
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2960
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link