RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
104
En -259% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3324
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link