RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
104
En -160% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
40
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3180
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link