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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
104
En -154% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
41
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2501
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
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