RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
104
En -225% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2974
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link