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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
104
En -316% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3402
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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