RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
104
En -247% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3544
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link