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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
104
En -285% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3711
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
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