RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
74
En -42% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
52
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
2625
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link