RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
73
En -232% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3060
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link