RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
66
73
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
66
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
1877
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
SK Hynix HYMP512S64BP8-C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link