RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
73
En -161% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3594
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link