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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
69
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2416
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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