RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
68
En -106% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
2674
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link