RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
64
70
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
70
Velocidad de lectura, GB/s
4,477.7
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,869.1
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
697
1971
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link