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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Super Talent F24UB16GV 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Super Talent F24UB16GV 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Super Talent F24UB16GV 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
64
En -167% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,477.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,869.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
697
3046
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
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