RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
50
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
3510
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link