RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
50
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
3465
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link