RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Compara
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
38
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2298
2987
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link