RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Compara
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
37
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
9.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.9
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2389
2848
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link