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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Compara
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
34
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
8.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.9
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2824
1718
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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