RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Compara
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
35
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
23
Velocidad de lectura, GB/s
15.7
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
18.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2767
4128
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99C5316-026.A00LF 1GB
Kingston 9905316-005.A04LF 1GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Smart Modular SH564568FH8N6PHSFG 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link