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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
46
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
41
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.4
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2660
3146
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
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