RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
38
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
23
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2993
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link