RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
41
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
41
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2656
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMY16GX3M2C1866C10 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link