RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
38
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
21
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3512
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Informar de un error
×
Bug description
Source link