RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
38
En -19% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2214
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Informar de un error
×
Bug description
Source link