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Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB

Puntuación global
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Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 40
    En 28% menor latencia
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.7 left arrow 10.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.6 left arrow 6.5
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 40
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.8 left arrow 11.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.5 left arrow 7.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1953 left arrow 1893

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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Memoria RAM
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