RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Compara
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
73
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
73
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
1838
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link