RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
47
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2893
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link