RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
47
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2676
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link