RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Compara
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Puntuación global
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
12
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1933
1338
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link