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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
45
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2660
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
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