RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
67
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
67
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2042
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link