RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
45
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2556
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link