RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
45
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2597
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link