RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
81
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
81
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
1668
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link