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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
45
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2742
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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