RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
45
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
18.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
4230
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link