RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
45
En -165% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
17
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3550
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link