RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
45
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3064
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link