RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
48
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
29
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3220
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link