RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
48
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
38
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2283
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link