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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
48
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
44
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2191
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
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