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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
47
En -147% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
19
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
18.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3905
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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