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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
47
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
17.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
3963
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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