RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
3636
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link